編輯-Z

Infineon/英飛凌AIGW50N65H5車規(guī)級IGBT參數(shù)：

型號：AIGW50N65H5

脈沖集電極電流（ICpuls）：150A

功耗（Ptot）：270W

工作結(jié)溫度（Tvj）：-40 ~ 175℃

儲存溫度（Tstg）：-55 ~ 150℃

集電極-發(fā)射極電壓（VCE）：650V

G?E閾值電壓VGE(th)：4.0V

集電極截止電流（ICES）：40uA

G?E漏電流（IGES）：100nA

輸入電容（Cies）：2800pF

輸出電容（Coes）：54pF

打開延遲時間td(on)：21ns

關(guān)閉延遲時間td(off)：173ns

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AIGW50N65H5特點和優(yōu)點：

硬開關(guān)和諧振的最佳效率

拓撲結(jié)構(gòu)

即插即用取代上一代IGBT

650V擊穿電壓

低門電荷QG

最高接合溫度175°C

動態(tài)應(yīng)力測試

符合AEC-Q101

綠色包裝（符合RoHS標準）

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AIGW50N65H5應(yīng)用：

非車載充電器

車載充電器

DC/DC轉(zhuǎn)換器

功率因數(shù)校正

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強元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。