BOSHIDA電源模塊 電磁噪聲的處理 降低傳導(dǎo)差模噪聲

要將差模噪聲減到最小，需要將差模噪聲電流控制在電源內(nèi)部，一般在輸入和輸出端之間已經(jīng)有電容，這是抑制差模噪聲的第一道防線(xiàn)。但是，噪聲允許的限值非常低，通常需要采用額外的辦法。常用辦法是將一些不同類(lèi)型的濾波器串聯(lián)插入到電源線(xiàn)之間，如圖9.10所示，濾波器一般由串聯(lián)電感和并聯(lián)電容組成，將它們放置在靠近供電人口處，以減少濾波后的噪聲。

但是，如圖9.11所示的兩個(gè)簡(jiǎn)單元件組成的濾波器通常是不夠的。雖然它理論上可以達(dá)到40dB/十倍頻程的衰減。然而實(shí)際情況是，因?yàn)槲覀円紤]到高達(dá)30MHz的情況，在較高頻率下，L-C的組合由于電感兩端的寄生電容以及與電容串聯(lián)的等效電阻和等效電感的存在，高頻濾波性能受到嚴(yán)重影響。圖9.12是考慮到了圖9.11中元件寄生參數(shù)影響的結(jié)果，可以看到，實(shí)際濾波效果和理論差別巨大。

因此，我們?cè)谠O(shè)計(jì)DM濾波器時(shí)必須仔細(xì)考慮(其寄生參數(shù))。利用LISN和頻譜分析儀進(jìn)行噪聲測(cè)量，確定所需的衰減，然后考慮器件的實(shí)際寄生效應(yīng)，我們就能夠得到一個(gè)比較符合實(shí)際情況的濾波器設(shè)計(jì)。在上面的例子中，將電感器結(jié)構(gòu)更改為單層繞組可以將寄生電容降低10倍，并且使用四個(gè)電容并聯(lián)而不是單獨(dú)一個(gè)，電容的寄生 ESR/ESL 都會(huì)減少(除以四)。如果還需要更多的衰減，則可以在多個(gè)并聯(lián)電容器之間放置一個(gè)小的額外電感，這會(huì)將濾波器變?yōu)槎A拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些改進(jìn)的綜合效果就產(chǎn)生了如圖9.13中的響應(yīng)曲線(xiàn)。