編輯-Z

ST/意法STW43NM60ND車規(guī)級MOS管參數(shù)：

型號：STW43NM60ND

連續(xù)漏極電流（ID）：35A

功耗（Ptot）：255W

貯存溫度和工作結溫（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：600V

柵極閾值電壓V(GS)th：4V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：10uA

柵源漏電流（IGSS）：100nA

漏源導通電阻RDS(on)：0.075Ω

輸入電容（Ciss）：4300pF

輸出電容（Coss）：250pF

二極管正向電壓（VSD）：1.3V

反向恢復時間（trr）：280ns

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STW43NM60ND這種功率MOSFET將一種新的垂直結構與公司的條形布局相結合，并將降低導通電阻和快速開關的所有優(yōu)點與固有的快速恢復體二極管相結合。因此，強烈建議用于橋式拓撲，尤其是ZVS相移轉換器。

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STW43NM60ND特征：

快速恢復二極管設備中較好的RDS（on）*區(qū)域

100%雪崩測試

低輸入電容和柵極電荷

低門輸入電阻

極高的dv/dt和雪崩能力。

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STW43NM60ND應用：

開關管應用

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強元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。