書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氮化鎵化學(xué)氣相沉積工藝

編號：JFKJ-21-074

作者：炬豐科技

? 擴(kuò)散和離子注入是將受控量的摻雜劑引入半導(dǎo)體和改變導(dǎo)電類型的兩個(gè)關(guān)鍵過程。 圖 8.1這兩種技術(shù)以及由此產(chǎn)生的摻雜劑分布。在擴(kuò)散過程中，摻雜原子是通過使用摻雜氧化物源從氣相中引入的。摻雜濃度從表面遞減，摻雜的深度分布主要由溫度和擴(kuò)散時(shí)間決定。圖 8.1b 揭示 離子注入工藝，這將在第 9 章討論。一般來說，擴(kuò)散和離子注入是相輔相成的。例如，擴(kuò)散用于形成深結(jié)，例如 CMOS 器件，而離子注入用于形成淺結(jié)，例如 MOSFET 的源極/漏極結(jié)。

? 硼是硅中最常見的 p 型雜質(zhì)，而砷和磷則廣泛用作 n 型摻雜劑。這三種元素在硅中的溶解度很高，這些摻雜劑可以通過多種方式引入，包括固體源、液體源和氣體源。通常，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁，氣態(tài)源通過惰性氣體輸送到半導(dǎo)體表面，然后在表面還原。

8.1擴(kuò)散過程是濃度梯度?????略

8.2擴(kuò)散曲線???略

8.3恒定表面濃度擴(kuò)散???略

8.4恒定總摻雜擴(kuò)散????略

8.5 恒定表面濃度擴(kuò)散???略

8.6恒定總摻雜擴(kuò)散???略