據(jù)臺灣媒體報(bào)道，目前臺積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，3nm制程將于今年下半年量產(chǎn)，升級版3nm（N3E）制程將于2023年量產(chǎn)，2nm制程將會(huì)在2025年量產(chǎn)，公司代表向臺灣媒體成員保證，它將繼續(xù)引領(lǐng)全球半導(dǎo)體行業(yè)。

臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰表示，將在2024年獲得ASML下世代極紫外光刻設(shè)備（High-NA EUV），為客戶發(fā)展相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施與架構(gòu)解決方案。臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)則表示，2024年取得設(shè)備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會(huì)量產(chǎn)。具體的量產(chǎn)將會(huì)是在2025年。

臺積電還在亞洲舉辦了其他活動(dòng)，分享了2nm制造技術(shù)的細(xì)節(jié)。截至目前，該公司的目標(biāo)是使新技術(shù)的性能比目前最新的3nm技術(shù)提高10%到15%之間，新技術(shù)還可將功耗降低25%至30%。這些細(xì)節(jié)在本月初舉行的臺積電臺灣技術(shù)論壇上由高管們分享，在活動(dòng)中，他們還概述了3nm芯片制造的進(jìn)展，第一代3nm技術(shù)有望在今年生產(chǎn)，而N3E升級版本將于明年投入生產(chǎn)線。

臺積電的3nm技術(shù)今年一直處于爭議的中心，此前其競爭對手三星在上半年搶先宣布量產(chǎn)，市場報(bào)道稱臺積電將因英特爾訂單問題而削減資金支出，面對這樣的消息，這家全球最大的代工芯片制造商一再斷言，3nm生產(chǎn)正在走上正軌。