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STW43NM60ND用的TO-247封裝，是意法一款汽車級MOS管。STW43NM60ND的漏源導通電阻RDS(on)為0.075Ω，零柵極電壓漏極電流（IDSS）為10uA，柵源漏電流（IGSS）為100nA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。STW43NM60ND的輸入電容（Ciss）為4300pF，輸出電容（Coss）為250pF。STW43NM60ND的電性參數是：連續(xù)漏極電流（ID）為35A，漏源擊穿電壓為600V，二極管正向電壓（VSD）為1.3V，反向恢復時間（trr）為280ns，其中有3條引線。

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STW43NM60ND參數描述

型號：STW43NM60ND

連續(xù)漏極電流（ID）：35A

功耗（Ptot）：255W

貯存溫度和工作結溫（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：600V

柵極閾值電壓V(GS)th：4V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：10uA

柵源漏電流（IGSS）：100nA

漏源導通電阻RDS(on)：0.075Ω

輸入電容（Ciss）：4300pF

輸出電容（Coss）：250pF

二極管正向電壓（VSD）：1.3V

反向恢復時間（trr）：280ns

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STW43NM60ND插件封裝系列。它的本體長度是20.15mm，加引腳長度為34.95mm，寬度為15.75mm，高度為5.15mm，腳間距為5.45mm。

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強元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。