一種可調(diào)控?zé)晒獠ㄩL的II一VI族半導(dǎo)體核殼量子點(diǎn)的制備方法，方法是在采用交替離子注入技術(shù)包覆CdSe量子點(diǎn)的基礎(chǔ)上，將制備好的CdSe核量子點(diǎn)在高溫下暴露于空氣中，根據(jù)暴露時(shí)間實(shí)現(xiàn)對(duì)核量子點(diǎn)熒光進(jìn)行調(diào)控，然后在無水無氧反應(yīng)氛圍下實(shí)現(xiàn)包覆。在溫度一定條件下，核CdSe樣品與大氣接觸時(shí)間越長，核量子點(diǎn)熒光波長越短。

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具體制備方法如下：

1、鎘的前驅(qū)體溶液的制備：氧化鎘與油酸在通氬氣條件下，240-260℃溶于十八碳烯中，加入氧化鎘、油酸和十八碳烯的量，按質(zhì)量百分比計(jì)量分別為0.62-1.56%、16.4-27.0%、82.98-71.44%，在80-90℃水浴下保存;

2、鋅的前驅(qū)體溶液的制備：氧化鋅與油酸在通氬氣條件下，300-310℃溶于一八碳烯中，加入氧化鋅、油酸和十八碳烯的量，按質(zhì)量百分比計(jì)量分別為0.4-1.0%、16.5-27.1%、83.1-71.9%，在80-90℃水浴下保存;

3、硫前驅(qū)體溶液的制備：在通氬氣條件下，硫粉在160-180℃下溶于十八碳烯中，加入硫粉和十八碳烯的量，按質(zhì)量百分比計(jì)量分別為0.2-0.4%、99.6一99.8%，在室溫下保存;

4、核CdSe的制備：將氧化鎘、油酸和十八碳烯裝入反應(yīng)容器中，加入的氧化鎘、油酸和十八碳烯的質(zhì)量百分比分別為 1.13-1.3%、10.5-12.7%、88.37-86%，通氬氣條件下的攪拌加熱到240-260℃直至氧化鎘全部溶解，降至室溫，作為的鎘的儲(chǔ)備液待用;將硒粉溶解于三正丁基磷和十八碳烯的混合液中加入的硒粉、三正丁基磷和十八碳烯的質(zhì)量百分比分別為4.1-8.2%、28.3-32.7%、67.359.1-59.1%，作為硒的儲(chǔ)備液待用;

5、對(duì)于與大氣接觸不同時(shí)間的核CdSe樣品外包覆 CdS/ZnS根據(jù)核 CdSe 量的多少來計(jì)算需要用來包覆的前驅(qū)體溶液體積，首先包覆第一層 CdS:注入鎘前驅(qū)體液，在5-10 分鐘后，注入硫前驅(qū)體液，退火 10-30 分鐘，退火溫度 230-240℃;然后包覆第二層 ZnS、包覆條件與第一層相同，如此往復(fù)，最終得到所需包覆層數(shù)的 CdSe/CdS/ZnS 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)。

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