不服輸！中國剛突破128層QLC閃存，三星曝光將首發(fā)160層閃存
上周，中國長江存儲公司就宣布攻克128層3D閃存技術，QLC類型的內(nèi)存容量做到了1.33Tb容量，一舉創(chuàng)下了三個世界第一。有這樣的表現(xiàn)，無疑暗示了國產(chǎn)閃存的突飛猛進，甚至有望在國際上展露頭角。
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不過作為頂尖內(nèi)存企業(yè)的三星等公司顯然不甘落后，近日就有消息曝光，三星正在著手開發(fā)160層堆棧的3D閃存。對3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，而在長江存儲公司攻克128層3D閃存技術后，三星曝出如此大的料，無疑宣告了它在內(nèi)存領域上的地位。而據(jù)相關的數(shù)據(jù)報告顯示，2020年全球將大規(guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
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不過每家的技術方案不同，東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的，美光、SK海力士有128層的，Intel的是144層，而且是浮柵極技術的，三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層，今年也是量產(chǎn)的主力。在136層之后，三星目前正在研發(fā)160層及以上的3D閃存，將成為第七代V-NAND閃存的基礎。
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