編輯-Z

ON/安森美FGH40N60SMD車規(guī)級IGBT參數(shù)：

型號：FGH40N60SMD

二極管正向電流（IF）：40A

功耗（Ptot）：349W

貯存溫度和工作結溫（Tstg，Tj）：-55 ~ 175℃

集電極到發(fā)射極電壓（VCES）：600V

G?E閾值電壓VGE(th)：4.5V

集電極截止電流（ICES）：250uA

G?E漏電流（IGES）：±400nA

輸入電容（Cies）：1880pF

輸出電容（Coes）：180pF

二極管正向電壓（VFM）：2.3V

反向恢復時間（trr）：36ns

?

FGH40N60SMD使用新型場阻IGBT技術，安森美的新系列場停第二代IGBT為太陽能逆變器、UPS、焊機、電信、ESS和pf應用提供了最佳性能，在這些領域中，低傳導和開關損耗是必不可少的。

?

FGH40N60SMD特征：

最高結溫：TJ=175°C

正溫度Co?高效，易于并行操作

高電流能力

低飽和電壓：VCE（sat）=1.9 V（Typ）@IC=40 A

高輸入阻抗

快速切換：EOFF=6.5μJ/A

加強參數(shù)分配

該設備為Pb?不含鹵素/BFR，符合RoHS標準

?

FGH40N60SMD應用：

太陽能逆變器、焊機、UPS、PFC、電信、ESS

?

強元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。