反應(yīng)燒結(jié)SiC(Reaction Bonded Silicon Carbide, RB)

將碳化硅粉、碳粉與有機粘結(jié)劑混合，經(jīng)過成型、干燥、排膠（脫脂），最后滲硅獲得制品。國內(nèi)外制造反應(yīng)燒結(jié)碳化硅絕大部分都采用此方法。

燒結(jié)過程中幾乎沒有收縮及尺寸變化，具有燒結(jié)溫度低、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)致密、生產(chǎn)成本低等優(yōu)點，適合制備大尺寸復(fù)雜形狀碳化硅陶瓷制品。

反應(yīng)燒結(jié)SiC 的密度3.05g/cm^3~3.15g/cm^3，彈性模量380GPa~430GPa，彎曲強度350-500 MPa，斷裂韌性4.0-5.0 MPa·m^1/2。但隨著Si 含量增加，強度和斷裂韌性線性下降；當Si 含量一定時，隨著SiC 晶粒尺寸減小，強度增大。高溫下游離硅塑性增大，使材料的斷裂韌性隨溫度增大，從室溫下4 MPa·m^1/2 增加到1200 ℃下的12 MPa·m^1/2。

為了保證滲硅的完全，素坯(α-SiC+C)應(yīng)當具有足夠的孔隙度。因此必須嚴格控制素坯密度，通過調(diào)整最初混合料中α-SiC 和C 的含量、α-SiC 的粒度級配、C 的形狀和粒度以及成型壓力等手段可以獲得適當?shù)乃嘏髅芏?。反?yīng)完成后SiC顆粒的殘留氣孔由游離Si 填充，從而可以獲得致密燒結(jié)體。

采用亞微米級SiC(0.4-0.5 μm)顆粒為原料，調(diào)節(jié)配方中C 和SiC 的質(zhì)量比值在0.1-0.5 之間，通過濕法成型制備素坯，反應(yīng)燒結(jié)制備密度達到3.1 g/cm^3 的RBSC 陶瓷材料，由于材料中游離Si 的尺寸細小，普遍在100 nm 以下，材料組織分布均勻，因此材料抗彎強度可以達到1000 MPa 以上。

反應(yīng)燒結(jié)SiC 陶瓷材料的使用溫度一般不超過1400 ℃。當溫度過高時，游離Si 熔化，從而導(dǎo)致材料的強度迅速下降。

注：也可通過裂解高分子聚合物，制備全碳多孔坯體，再經(jīng)高溫滲硅制備了高性能的反應(yīng)燒結(jié)碳化硅，但成本很高。