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IXFH4N100Q-ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFH4N100Q

型號(hào)：IXFH4N100Q

品牌：IXYS/艾賽斯

封裝：TO-247

最大漏源電流：4A

漏源擊穿電壓：1000V

RDS（ON）Max：3Ω

引腳數(shù)量：3

工作溫度：-55℃~150℃

溝道類型：N溝道MOS管、高壓MOS管

IXFH4N100Q特點(diǎn)

低柵極電荷和電容

-更易于駕駛

-更快的切換

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)包裝

RDS低（打開）

無(wú)阻尼感應(yīng)開關(guān)（UIS）

額定的，額定的

可燃性分類

IXFH4N100Q概述：

IXFH4N100Q是最受歡迎的功率MOSFET適用于硬開關(guān)和諧振模式應(yīng)用，提供低柵極電荷和快速本征二極管的優(yōu)異耐用性。有許多標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)包裝可供選擇，包括隔離型。