單次切割，即一次完全切割硅片，切割深度到UV膜厚度1／2的位置，如下圖所示。該方法工藝過程簡單，適合超薄材料切割，但切割過程刀具磨損嚴重，切割道邊緣易產(chǎn)生崩邊和毛刺，工件因受磨削力的影響，材料表面及亞表面易產(chǎn)生裂紋等缺陷。

針對硬脆材料劃切工藝缺陷，本文提出一種分層劃切工藝方法，如下圖所示。根據(jù)切割材料的厚度，在劃切深度方向采用分層（階梯式）進給的方式進行劃切，首先進行開槽劃切，采用比較小的進給深度，以保證刀具受力小，降低刀具磨損，減小切割道正面崩邊，然后再沿著第一刀劃切道繼續(xù)進行劃切。

兩種切割方式切割過程中切割膜的厚度需要保證，當切割膜過深，將切透膜，導致工件盤失去真空能力而無法固定硅片；當切割膜過淺，將導致硅片背面崩邊嚴重，因此，切割過程對最后一次切割的深度必須保證。