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18N20-ASEMI中低壓N溝道MOS管18N20

型號：18N20

品牌：ASEMI

封裝：ITO-252

最大漏源電流：18A

漏源擊穿電壓：200V

RDS（ON）Max：0.18Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：中低壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

18N20場效應(yīng)管

18N20的電性參數(shù)：最大漏源電流18A；漏源擊穿電壓200V

特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=200V，Id=18A

RDS（開）:0.18? （最大值）@VG=10V