12月6日，北京時(shí)間21：00

深能級(jí)瞬態(tài)光譜檢測(cè)（DLTS）

常用于研究半導(dǎo)體中缺陷的濃度和載流子結(jié)合能，是表征所有形式半導(dǎo)體的關(guān)鍵工具。 作為DLTS應(yīng)用的先驅(qū)者，蘇黎世儀器公司希望能將用戶聚集在一起，共享最佳實(shí)踐技巧與經(jīng)驗(yàn)，幫助大家實(shí)現(xiàn)交流互動(dòng)。

演講嘉賓

Dr. Piotr Kruszewski ：

波蘭科學(xué)院高壓物理研究所的助理教授，在波蘭科學(xué)院物理研究所取得固態(tài)物理學(xué)博士學(xué)位，又在普羅旺斯材料微電子納米科學(xué)研究所做了2年博士后研究。

報(bào)告主題：

Deep traps in GaN-based materials studied by DLTS-related techniques

Dr.?Teimuraz Mchedlidze：

弗賴貝格工業(yè)大學(xué)應(yīng)用物理研究所，主要研究半導(dǎo)體中各種缺陷和納米結(jié)構(gòu)的研究、工程和應(yīng)用以及改進(jìn)現(xiàn)有的材料表征方法并發(fā)明新的方法，有著30多年的經(jīng)驗(yàn)。

報(bào)告主題：

Pros for using MFIA in deep-level transient spectroscopy studies

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