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IPW60R017C7英飛凌MOS管參數(shù)：

型號：IPW60R017C7

連續(xù)漏極電流（ID）：109A

功耗（Ptot）：446W

貯存溫度和工作結(jié)溫（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：600V

柵極閾值電壓V(GS)th：4V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：2uA

柵源漏電流（IGSS）：100nA

漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)：0.017Ω

輸入電容（Ciss）：9890pF

輸出電容（Coss）：200pF

二極管正向電壓（VSD）：0.9V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：630ns

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CoolMOS? C7是一項(xiàng)針對高壓功率MOSFET的技術(shù)，根據(jù)超結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì)，由英飛凌科技創(chuàng)造。ASEMI代理IPW60R017C7英飛凌MOS管，詳情可咨詢強(qiáng)元芯電子。

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IPW60R017C7特征：

適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)（PFC和高性能LLC）

MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns

由于同類最佳FOM RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg提高了效率

符合JEDEC (J-STD20)的工業(yè)級應(yīng)用要求和JESD22)

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IPW60R017C7用于高功率/性能的PFC級和PWM級（TTF、LLC）SMPS，例如計(jì)算、服務(wù)器、電信、UPS 和太陽能。