Etch：

一、

濕法刻蝕（Wet Etch）

使用液態(tài)化學(xué)品（強(qiáng)酸強(qiáng)堿）

1.刻蝕速率

• 刻蝕厚度(um)
• 刻蝕時(shí)長(zhǎng)(min)

刻蝕液（HNA）

三酸化骨水（氫氟酸、硝酸、乙酸）

硝酸比例上升↑，有助于表面充分氧化再腐蝕

刻蝕后的硅片會(huì)更光滑

氫氟酸比例上升↑

刻蝕速度更快，但是表面會(huì)粗糙

溫度和攪拌

• 溫度：
  ?

  04:03

  ?
• 攪拌：
  ?

  04:16

  ?

空穴現(xiàn)象(Cavitation)：

讓液體在不間斷的高頻振動(dòng)中被持續(xù)壓縮和釋放產(chǎn)生大量微小的空泡

2.選擇比

不同物質(zhì)的刻蝕速率之比

硅10：光刻膠1

3.方向性

一般濕法刻蝕無方向

需要更好用：

不含金屬的刻蝕液

TMAH ：

破壞力：★★

N(CH3)4OH

EDP：

破壞力：★★★

C2H4(NH2)2

C6H4(OH)2

聯(lián)氨

破壞力：★★★★★

N2H4

二、

干法刻蝕（Dry Etch）化學(xué)氣體（等離子氣體）

氣體在精確配比后被通入反應(yīng)腔內(nèi)，再用電容或電感耦合的方式，讓氣體完全或部分電離，形成等離子體或離子束，經(jīng)過電場(chǎng)加速，射向硅片進(jìn)行刻蝕