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安泰電子高壓放大器基于干涉儀的設計與優(yōu)化中的應用

2021-08-25 11:09 作者:Aigtek西安安泰電子  | 我要投稿

實驗名稱:高壓放大器基于掃描式固體腔F-P干涉儀的設計與優(yōu)化中的應用

實驗目的:優(yōu)化設計掃描式固體腔F-P干涉儀

實驗設備:光源,準直擴束系統(tǒng),待測電光晶體(包含驅動),4f系統(tǒng)和CCD,信號源,ATA-2161高壓放大器,示波器。

實驗內容:為實現(xiàn)全天時邊界層內大氣溫度絕對探測,即精細獲取大氣Rayleigh散射譜形,借鑒F-P干涉濾波技術和晶體的電光特性,設計了一種掃描式固體腔F-P干涉儀,測試其濾波性能并進行優(yōu)化。

實驗過程:如圖是搭建的透射型馬赫曾德干涉儀光路,此光路用做全息圖的記錄,主要包括以下幾個部分:光源,準直擴束系統(tǒng),待測電光晶體(包含驅動)、4f系統(tǒng)和CCD。

高壓放大器應用

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測量晶體內部均勻性和折射率調制度關系的系統(tǒng)圖

電光晶體高壓驅動,函數(shù)發(fā)生器,使其產(chǎn)生一個脈沖方波信號,然后經(jīng)過ATA-2161高壓放大器使其放大,最終把放大后的信號加載到晶體上,完成晶體電光性能的測試。??

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高壓放大器應用

電光晶體高壓模塊標定

實驗結果:

(1)不同電壓下CCD上記錄的全息圖

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ATA-2161高壓放大器

(2)不同電壓場下,對應晶體折射率的改變量

對圖相位圖中晶體相位的改變量進行平均處理,得到不同電壓場下,對應的晶體的相位改變量,再由公式計算得出,不同電壓場下,對應晶體折射率的改變量。

高壓放大器應用

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相位調制和折射率調制度實測值與理論值的對比?


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