MA4AGSW2

MA4AGSW2
AlGaAs 反射式

MA4AGSW2 是一種鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)采用增強(qiáng)型 AlGaAs 陽(yáng)極，采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與傳統(tǒng) GaAs 工藝相比，該技術(shù)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗更少。在 50GHz 時(shí)可實(shí)現(xiàn)多達(dá) 0.3 dB 的插入損耗降低。這些器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的，采用的工藝旨在實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低的寄生效應(yīng)。二極管本身具有低串聯(lián)電阻、低電容和快速開(kāi)關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚合物層以保護(hù)劃痕。保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過(guò)程中損壞二極管結(jié)和陽(yáng)極空氣橋。需要片外偏置電路。AlGaAs 的高電子遷移率和 PIN 二極管的低電容使該開(kāi)關(guān)成為快速開(kāi)關(guān)、高頻、多擲開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)的理想選擇。這些 AlGaAs PIN 開(kāi)關(guān)用于雷達(dá)系統(tǒng)、輻射計(jì)、測(cè)試設(shè)備和其他多組件組件的開(kāi)關(guān)陣列。

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MACOM 的 MA4AGSW2 是一款射頻開(kāi)關(guān)，頻率為 50 MHz 至 50 GHz，插入損耗為 0.5 至 0.9 dB，隔離度為 28 至 47 dB。標(biāo)簽：表面貼裝，固態(tài)。MA4AGSW2的更多細(xì)節(jié)可以在下面看到。

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特征

• 超寬帶寬：50 MHz 至 50 GHz

• 符合 RoHS*

• 低電流消耗：-10mA 用于低損耗狀態(tài)，+10mA 用于隔離狀態(tài)

• 50 GHz 時(shí) 33 dB 隔離

• 0.7分貝插入損耗

• 功能帶寬：50 MHz 至 70 GHz

• 聚合物劃痕保護(hù)

• 氮化硅鈍化

• MACOM 獨(dú)特的 AlGaAs 異質(zhì)結(jié)陽(yáng)極技術(shù)

• 260°C 回流兼容

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產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

• 零件號(hào)

  MA4AGSW2

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• 制造商

  馬康

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• 描述

  0.05 至 50 GHz 的 SPDT 固態(tài)開(kāi)關(guān)

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一般參數(shù)

• 類型

  固體狀態(tài)

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• 配置

  單刀雙擲

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• 應(yīng)用

  ISM 樂(lè)隊(duì)

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• 應(yīng)用行業(yè)

  軍事、太空

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• 頻率

  50 MHz 至 50 GHz

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• 插入損耗

  0.5 至 0.9 分貝

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• 隔離

  28 至 47 分貝

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• 包裝類型

  表面貼裝

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• RoHS

  是的

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