NKC164-TM04銅合金沖壓銅帶

微電子技術(shù)的核心是集成電路。集成電路是指以半導(dǎo)體晶體材料為基片（芯片），采用專門的工藝技術(shù)將組成電路的元器件和互連線集成在基片內(nèi)部、表面或基片之上的微小型化電路。這種微電路在結(jié)構(gòu)上比zui緊湊的分立元件電路在尺寸和重量上小成千上萬倍。它的出現(xiàn)引起了計算機的巨大變革，成為現(xiàn)代信息技術(shù)的基礎(chǔ)。己開發(fā)出的很大規(guī)模集成電路，在比小姆指甲還小的單個芯片面積上，能做出的晶體管數(shù)目，己達十萬甚至百萬以上。國際著名的計算機公司IBM（國際商業(yè)機器公司），己采用銅代替硅芯片中的鋁作互連線，取得了突破性進展。這種用銅的新型微芯片，可以獲得30%的效能增益，電路的線尺寸可以減小到0.12微米，可使在單個芯片上集成的晶體管數(shù)目達到200萬個。這就為古老的金屬銅，在半導(dǎo)體集成電路這個zui新技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用，開創(chuàng)了新局面 [1]? 。引線框架

為了保護集成電路或混合電路的正常工作，需要對它進行封裝；并在封裝時，把電路中大量的接頭從密封體內(nèi)引出來。這些引線要求有一定的強度，構(gòu)成該集成封裝電路的支承骨架，稱為引線框架。實際生產(chǎn)中，為了高速大批量生產(chǎn)，引線框架通常在一條金屬帶上按特定的排列方式連續(xù)沖壓而成?？蚣懿牧险技呻娐房偝杀镜?/3～ l/4，而且用量很大；因此，必須要有低的成本。

K09 OFE-Cu C10100? ?K11 Cu-OF C10200

K12? SE-Cu57 C10300? ?K14 Cu-PHC C10300 SE-Cu58? K15 C12000 SW-Cu Cu-DLP

K19 SF-Cu C12200 Cu-DHP? K32 E-Cu58 C11000 Cu-ETP

K42 CuZn0.5

K55 CuNi3Si1Mg C70250? K57 CuNi1Co1Si C70350

K60 CuCr1Zr CW106C C18200 2.1293? K62 CuSn1CrNiTi C18090

K65 CuFe2P C19400? ?K75 CuCrSiTi C18070? K80 CuFeP C19210

K81 CuSn0.15 C14415? ?K88 CuCrAgFeTiSi C18080

K55-R620、K55-Y550、K55-R650、K55-R690、K55-R760、K55-TR02、C70250-R620、C70250-Y550、C70250-R650、C70250-R690、C70250-R760、C70250-TR02、CuNi3Si1Mg-R620、CuNi3Si1Mg-Y550、CuNi3Si1Mg-R650、CuNi3Si1Mg-R690、CuNi3Si1Mg-R760、CuNi3Si1Mg-TR02、C7025-R620、C7025-Y550、C7025-R650、C7025-R690、C7025-R760、C7025-TR02、K55-TM00、K55-TM02、K55-TM03、K55-TM04、CuNi3Si1Mg-TM00、CuNi3Si1Mg-TM02、CuNi3Si1Mg-TM03、CuNi3Si1Mg-TM04、C70250-TM00、C70250-TM02、C70250-TM03、C70250-TM04、C7025-TM00、C7025-TM02、C7025-TM03、C7025-TM04、

K57-TM04、K57-TM06、K57-TM02、CuNi1Co1Si-TM04、CuNi1Co1Si-TM06、CuN