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ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE

型號(hào)：ASE4N65SE

品牌：ASEMI

封裝：TO-220F

最大漏源電流：4A

漏源擊穿電壓：650V

RDS（ON）Max：2.5Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時(shí)間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

ASE4N65SE場(chǎng)效應(yīng)管

ASE4N65SE的電性參數(shù)：最大漏源電流4A；漏源擊穿電壓650V

特征：

低固有電容。

出色的開(kāi)關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無(wú)與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=650V，Id=4A

RDS（開(kāi)）:2.5? （最大值）@VG=10V