石墨烯因自身獨一無二的特性，在光學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)等領(lǐng)域都有無無限的應(yīng)用和市場空間，而我們?nèi)绻剿鞒隹梢灾苽涑龈哔|(zhì)量石墨烯的方式，性能可以無限接近理論值，則對石墨烯的研究極為重要；或者得出一種質(zhì)量不需太高、符合一般科研實驗使用，而且價格合適的適合市場需求的石墨烯，則對石墨烯的應(yīng)用極為重要。絕緣基底上生長石墨烯特備是微晶科技石英基底石墨烯薄膜作為石墨烯制備的一種重要方法，其最大優(yōu)點就是免轉(zhuǎn)移，工藝簡單易得，非常適合市場需求。

金屬覆蓋法即在絕緣基底上鍍金屬膜并以此為基底制備石墨烯，再去除金屬膜得到絕緣基底的制備石墨烯的方式。金屬覆蓋法制備石墨烯薄膜與絕緣基底制備石墨烯薄膜相比，其可以制備出高質(zhì)量、符合要求的石墨烯，卻難避免對制備的石墨烯的污染與損傷，因為在金屬覆蓋法制備石墨烯過程過后，還需對作為基底的金屬膜做刻蝕，以除去金屬層得到純度高的石墨烯，這也使得制備過程更加繁雜。

絕緣基底法即在絕緣材質(zhì)的基底上直接通過CVD、氧氣輔助催化法制備石墨烯，再去除金屬膜得到絕緣基底的制備石墨烯的方式。特別是微晶科技石英基底石墨烯薄膜，本身材質(zhì)為絕緣，避免了制備石墨烯過程中金屬的不利影響，也優(yōu)化了石墨烯薄膜從生成到使用的過程步驟，穩(wěn)定性好，這些特點比較明顯；如果需要將制備質(zhì)量高、穩(wěn)定型性好的石墨烯，制備的時間需延長。