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《炬豐科技-半導體工藝》馬蘭戈尼干燥過程中晶圓接觸痕污染處理方法

2021-09-04 11:00 作者:華林科納  | 我要投稿

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》

文章:馬蘭戈尼干燥過程中晶圓接觸痕污染處理方法

編號:JFKJ-21-282

作者:炬豐科技

? 硅晶圓在馬蘭戈尼干燥過程中接觸痕污染嚴重與晶片與接觸區(qū)域的保水有關(guān)在晶圓/夾持片上形成保水性 接觸是用概念模型來處理的。?一個技術(shù)提出了采用毛細管引流的方法來解決接觸問題 。

介紹

? 在半導體制造中,硅片(或其他半導體材料)是通常采用一系列濕化學清洗步驟來制備晶圓片表面用于后續(xù)集成電路制造工藝。?硅片干燥是最后也是最關(guān)鍵的一步,通過使成品表面干凈、干燥,使之成為濕晶圓片表面處理過程有效。?在各種薄片干燥技術(shù)中馬蘭戈尼干燥法由于其在許多方面的優(yōu)點而被廣泛應用。

概念模型 ?

? 毛細管力的存在被認為是由于分子間的作用力,這些分子間的力就是液體內(nèi)的粘結(jié)力和液體之間的粘附力的結(jié)合和固體表面。?這種力隨著周圍固體的距離而增大表面減少。?在這種情況下,一個Marangoni烘干機槽可以想象為一個大底部有排泄閥的圓柱形容器,同時與晶圓片/梳狀片接觸緊密的幾何形狀可以看作是一個直徑小得多的毛細管。

實驗 ?

為了驗證和實施毛細管引流的概念,進行了一系列的試驗???略

結(jié)果與討論??

? 圖4a上毛細管介質(zhì)材料的液滴吸收試驗 ,分別在晶圓片/梳狀片接觸的平面表面和緊密幾何形狀上。?這是觀察到一個~0.05mL的水滴(即直徑~4mm的水滴)可以被吸收 ?

不管介質(zhì)是否被水飽和,5秒內(nèi)就可以完成介質(zhì)。


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