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A17、M3 良率僅 55%,蘋果拒絕為非良品付費,臺積電三納米工藝有待改善

2023-07-16 16:32 作者:首發(fā)課代表  | 我要投稿

7 月 16 日消息:據(jù) EE Times 報道,臺積電先進(jìn)3 納米制程良品率僅?55%,將有近一半成品為非良品,而蘋果公司已獨占了該工藝的基本全部產(chǎn)能(90%),用以生產(chǎn) A17 Bionic 和 M3 芯片。

——蘋果計劃將A17芯片組,用于 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max。

據(jù)報道,由于現(xiàn)階段的良率仍然過低,蘋果將僅向臺積電支付合格產(chǎn)品的費用,而不是標(biāo)準(zhǔn)的晶圓價格,而標(biāo)準(zhǔn)晶圓價格可達(dá) 1.7萬美元。(約 12.2 萬元人民幣)

——臺積電預(yù)計到 2023 年底,每個月能夠生產(chǎn) 10 萬片 3 納米晶圓,以滿足蘋果的需求。然而,在良率只有 55% 的情況下,只有 5.5 萬片晶圓是可以使用的。這是蘋果所無法接受的,只有當(dāng)良率達(dá)到 70% 時,蘋果才會按照標(biāo)準(zhǔn)晶圓價格付款。

另一方面,今年六月國外科技媒體 MacRumors曾?報道,蘋果今年預(yù)計推出的 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max 將于明年產(chǎn)出的存在部分差異。

——報道稱 iPhone 15 Pro 系列今年下半年搭載的 A17 Bionic 將采用 N3B 工藝,而明年推出的機(jī)型將全面切換到 N3E 工藝。

具體細(xì)節(jié)方面,就臺積電官方公布的部分?jǐn)?shù)據(jù)來看, N3E(3nm 簡化版)可以看作是,N3B節(jié)點(3nm 基礎(chǔ)版)的“廉價版本”,此外N3B 實裝了 SRAM 縮放,其單元大小僅有 0.0199μm2,相比上一個版本縮小了 5%。N3E 的內(nèi)存密度(ISO-assist circuit overhead)大約為 31.8 Mib / mm2。放在最終芯片上功耗控制兩者差異不大,但N3E版本實際性能提升或?qū)⒂兴档?/p>

——新的 N3E 節(jié)點,高密度 SRAM 位單元尺寸并沒有縮小,依然是 0.021 μm2,這與 N5 節(jié)點的位單元大小完全相同。


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