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UJ3N120035K3S

2023-08-09 09:03 作者:深圳市聚成恒信電子  | 我要投稿

Qorvo 的 UJ3N120035K3S 是一款 1200 V、35 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開(kāi) JFET 晶體管。該器件具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 和柵極電荷 (QG),可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。在 VGS = 0 V 時(shí)具有低 RDS(ON) 的器件常開(kāi)特性也非常適用于無(wú)需主動(dòng)控制的電流保護(hù)電路以及 FET 操作。



主要特征

  • 導(dǎo)通電阻 (RDS(on)):35 mohm(典型值)

  • 電壓控制

  • 最高工作溫度:175 °C

  • 極快的切換速度不依賴于溫度

  • 低柵極電荷

  • 低本征電容



VDS 最大值(V)1,200RDS(on) Typ @ 25C?(mohm)35內(nèi)徑最大值(A)63一代第 3 代Tj 最大值(°C)175汽車(chē)資質(zhì)是的包裝類型TO-247-3L

UF3N170400B7S

UJ3N065025K3S

UJ3N065080K3S

UJ3N120035K3S

UJ3N120065K3S

UJ3N120070K3S


UJ3N120035K3S的評(píng)論 (共 條)

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