我們知道了三極管 MOS管在進(jìn)入飽和導(dǎo)通之前，必然會(huì)經(jīng)過(guò)放大區(qū)。好在三極管經(jīng)過(guò)放大區(qū)的時(shí)間很短，但是MOS管在米勒平臺(tái)這段區(qū)域的時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)，也會(huì)更容易損壞。

?

上面是Vgs波形，接下來(lái)我們來(lái)看Vds波形是什么樣子的。

?

那么，我們知道當(dāng)Vgs電壓達(dá)到Vth時(shí)，MOS管進(jìn)入放大導(dǎo)通區(qū)域，而此時(shí)D端的電位會(huì)從原來(lái)的200V在t1~t2期間內(nèi)會(huì)有略微的下降。

?

?

?

同時(shí)，我們也知道，在Vgs電壓達(dá)到Vth時(shí)，Id開(kāi)始有電流了。

?

我們通過(guò)固有轉(zhuǎn)移特性知道，Vgs和Id成比例變化的，所以在米勒平臺(tái)區(qū)域Id電流也是幾乎沒(méi)有變化，理想情況下，我們就認(rèn)為它們是不變的。

?

那么，到了某一時(shí)刻（t3），米勒平臺(tái)效應(yīng)就會(huì)結(jié)束。在米勒平臺(tái)期間，MOS管的DS內(nèi)阻Rdson在逐漸變小。

?

?

t1時(shí)刻

Vth開(kāi)通的閾值電壓

Vdd(漏極電壓)略微下降

Id開(kāi)始有點(diǎn)電流

t2時(shí)刻

米勒平臺(tái)電壓

Vdd(漏極電壓)

Id達(dá)到最大，管子處于放大狀態(tài)，

Rdson在一直變化的，從無(wú)窮大開(kāi)始往很小的一個(gè)值變

t3時(shí)刻

米勒現(xiàn)象消失，固有轉(zhuǎn)移特性結(jié)束

Id達(dá)到最大，管子處于飽和狀態(tài)

Rdson變到極小

Vdd(漏極電壓)很低

工作在米勒平臺(tái)區(qū)域，與工作在平臺(tái)后的區(qū)域，管子的功耗問(wèn)題。

工作在米勒平臺(tái)區(qū)域：管子內(nèi)阻雖然在變小，但是還是很大。由于電流都是最大，所以功耗大。

工作在平臺(tái)區(qū)域之后：由于Rdson極小，所以功耗小。

管子工作在飽和導(dǎo)通狀態(tài)，相對(duì)比較安全。但是還是比較怕很高的dv/dt ??di/dt，因?yàn)檫@樣斜率很陡，就會(huì)對(duì)MOS管產(chǎn)生沖擊。一般在半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)里面，都會(huì)標(biāo)出它所能承受的最大的dv/dt ?di/dt。實(shí)際上MOS管有很多種溝道:

?

最下面的溝道抗沖擊最強(qiáng)，不過(guò)是英飛凌的，申請(qǐng)了發(fā)明專(zhuān)利。

我們知道了，MOS管在米勒平臺(tái)區(qū)發(fā)熱量極大，內(nèi)部結(jié)溫很高，如果來(lái)了一個(gè)很大的沖擊能量，還沒(méi)等到結(jié)溫往外散掉，就已經(jīng)損壞了。如果你這個(gè)時(shí)候，雖然在外部測(cè)量到的表面溫度不高，但是已經(jīng)損壞，就是有可能是這個(gè)原因所導(dǎo)致的。