16N60-ASEMI高壓N溝道MOS管16N60
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16N60-ASEMI高壓N溝道MOS管16N60
型號(hào):16N60
品牌:ASEMI
封裝:TO-220
最大漏源電流:16A
漏源擊穿電壓:600V
RDS(ON)Max:0.17Ω
引腳數(shù)量:3
芯片個(gè)數(shù):
溝道類型:N溝道MOS管、高壓MOS管
漏電流:ua
特性:N溝道MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管
工作溫度:-55℃~150℃
備受歡迎的16N60 MOS管
??ASEMI品牌16N60是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,能夠持續(xù)保證了16N60的最大漏源電流16A,漏源擊穿電壓600V.
?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距
16N60,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產(chǎn)品穩(wěn)定性高,抗沖擊能力強(qiáng)。
16N60具體參數(shù)為:最大漏源電流:16A,漏源擊穿電壓:600V,反向恢復(fù)時(shí)間: ns,封裝:TO-220


