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模電學(xué)習(xí)筆記1——半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

2021-03-28 15:37 作者:yibierencai  | 我要投稿

教材:童詩白、華成英《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第五版) 高等教育出版社

視頻教材:


盡管華奶奶在視頻里多次說過“你們學(xué)過了數(shù)字電路”,但其實跟數(shù)電關(guān)系不大,真正要掌握的基礎(chǔ)是《電路》,沒有電路基礎(chǔ)的話學(xué)習(xí)模電起來是困難重重的。



第1章 常用半導(dǎo)體器件

1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

1.1.1 本征半導(dǎo)體:純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

一、半導(dǎo)體:導(dǎo)電性介于絕緣體與導(dǎo)體之間的物質(zhì)。

三、本征半導(dǎo)體的兩種載流子

? ? ? ?本征半導(dǎo)體有兩種載流子:空穴自由電子,它們均參與導(dǎo)電。

四、本征半導(dǎo)體中的載流子濃度

? ? ? ?動態(tài)平衡:在一定溫度下,載流子的濃度是一定的,并且自由電子與空穴的濃度相等。

? ? ? ?溫度升高,載流子的濃度升高,導(dǎo)電性加強(qiáng);溫度降低,載流子的濃度降低,導(dǎo)電性減弱(半導(dǎo)體器件溫度穩(wěn)定性差的原因)。


1.1.2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體

一、N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入少量五價元素(如磷)的半導(dǎo)體。

? ? ? ?多子(多數(shù)載流子):自由電子

? ? ? ?少子(少數(shù)載流子):空穴

? ? ? ?N型半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)電,摻入雜質(zhì)越多,自由電子濃度越高,導(dǎo)電性越高。

二、P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入少量三價元素(如硼)的半導(dǎo)體。

? ? ? ?多子(多數(shù)載流子):空穴

? ? ? ?少子(少數(shù)載流子):自由電子

? ? ? ?P型半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)電,摻入雜質(zhì)越多,空穴濃度越高,導(dǎo)電性越高。

? ? ? ?多子濃度受溫度影響很小,少子濃度受溫度影響很大。


1.1.3. PN結(jié)

二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

① PN結(jié)外加正向電壓(正向偏置)時處于導(dǎo)通狀態(tài)

② PN結(jié)外加反向電壓(反向偏置)時處于截止?fàn)顟B(tài)

四、PN結(jié)的伏安特性

? ? ? ?當(dāng)反向電壓超過一定數(shù)值時,反向電流急劇增加,稱之為反向擊穿。反向擊穿分為齊納擊穿雪崩擊穿。反向擊穿可能會永久性損壞PN結(jié)。

、PN結(jié)的電容效應(yīng)

? ? ? ?在一定條件下,PN結(jié)具有電容效應(yīng)。根據(jù)原因不同分為勢壘電容和擴(kuò)散電容。







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