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ASEMI代理ADI亞德諾ADG1408YRUZ-REEL7車規(guī)級芯片

2023-04-25 16:07 作者:強強的芯  | 我要投稿

編輯-Z

ADG1408YRUZ-REEL7芯片參數(shù):

型號:ADG1408YRUZ-REEL7

接通電阻:4Ω

電源斷開漏電流:±0.04 nA

輸入高電壓:2V

輸入低電壓:0.8V

輸入電流:±0.005μA

數(shù)字輸入電容:4 pF

過渡時間:140 ns

?3 dB帶寬:60 MHz

VDD to GND:?0.3 V to +25 V

VSS to GND:+0.3 V to ?25 V

儲存溫度范圍:?65°C to +150°C

工作溫度范圍:?40°C to +125°C

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ADG1408YRUZ-REEL7是單片iCMOS?模擬多路復用器,分別包括八個單通道和四個差分通道。ADG1408YRUZ-REEL7將八個輸入中的一個切換到公共輸出,這由3位二進制地址線A0、A1和A2決定。設備上的EN輸入用于啟用或禁用設備。禁用時,所有通道都將關(guān)閉。

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iCMOS(工業(yè)CMOS)模塊化制造工藝結(jié)合了高壓CMOS(互補金屬氧化物半導體)和雙極技術(shù)。它能夠開發(fā)出廣泛的高性能模擬IC,能夠在33 V的占地面積內(nèi)工作,這是其他一代高壓部件無法實現(xiàn)的。與使用傳統(tǒng)CMOS工藝的模擬IC不同,iCMOS組件可以承受高電源電壓,同時提供更高的性能、顯著更低的功耗和更小的封裝尺寸。

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這些開關(guān)的超低導通電阻和導通電阻平坦度使其成為低失真至關(guān)重要的數(shù)據(jù)采集和增益開關(guān)應用的理想解決方案。iCMOS結(jié)構(gòu)確保了超低功耗,使這些部件非常適合便攜式和電池供電的儀器。


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