鎢酸鹽納米材料在閃爍材料、光導(dǎo)纖維、光致發(fā)光物質(zhì)、微波應(yīng)用、濕度傳感器、磁性器件、催化劑和緩蝕劑等方面具有良好的應(yīng)用前景，成為近幾年研究的熱點(diǎn)。自1999年Kudo等首次報(bào)道了鎢酸鉍Bi2WO6在波長(zhǎng)大于420nm的可見(jiàn)光輻射下具有光催化活性后，Bi2WO6因其較窄的禁帶寬度(約2.7eV)，能被可見(jiàn)光激發(fā)并在可見(jiàn)光下具有較高的催化活性從而作為一種新型的光催化材料引起了越來(lái)越多的關(guān)注。

Bi2WO6/g-C3N4復(fù)合材料

g-C3N4物理復(fù)合改性：是目前最方便的改進(jìn)方法。選用的復(fù)合物主要有金屬材料（如普通金屬、貴金屬化和雙金屬材料），半導(dǎo)體材料（如金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬硫化物、金屬?gòu)?fù)合物、合成化合物、金屬有機(jī)框架以及其他），類石墨烯材料（如石墨烯、 氧化石墨烯、碳納米管等），高分子化合物（如P3HT、PANI等）。復(fù)合后g-C3N4的光催化性能都有一定提高，且g-C3N4與復(fù)合物質(zhì)之間并非簡(jiǎn)單的物理混合，而是充分接觸形成異質(zhì)結(jié)。由于二者導(dǎo)帶和價(jià)帶位置的差異，g-C3N4光激發(fā)產(chǎn)生的電子或空穴轉(zhuǎn)移至復(fù)合物的導(dǎo)帶或價(jià)帶中，電子空穴分離，復(fù)合率降低，從而可以更高效地利用光激發(fā)產(chǎn)生的活性粒子。復(fù)合物的加入還可賦予催化劑一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例如g-C3N4與Fe3O4、Bi25FeO40復(fù)合后具有磁性，方便了光催化劑的回收利用。?

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瑞禧可以提供各種不同長(zhǎng)度的納米金線，納米鈀線，納米銠線，納米釕線，納米鋨線，納米銥線，納米鉑線，納米銀線，CdS納米線，CdSe納米線，InAS納米線，ZnSe納米線等，并且我們可以提供官能團(tuán)修飾、蛋白修飾、酶修飾、DNA修飾、殼聚糖、多肽、葉酸等修飾偶連各種納米線的定制合成技術(shù)。

Bi2MoO6 鉬酸鉍

單斜四面體結(jié)構(gòu)BiVO4

單斜相的BiVO4納米結(jié)構(gòu)

樹(shù)葉狀BiVO4二維納米片

活性HKUST-1-MOF–BiVO4

橄欖狀/片狀BiVO4

CuO負(fù)載空心球狀BiVO4

β-環(huán)糊精(β-CD)修飾后BiVO4

Fe2O3/BiVO4復(fù)合光催化劑?

BiVO4多孔薄膜；BiVO4納米孔薄膜

還原氧化石墨烯RGO修飾釩酸鉍BiVO4納米纖維

碳納米管CNTs修飾釩酸鉍BiVO4納米纖維

BMO(Bi2MoO6)

Ag2O納米線修飾的TiO2納米管

異質(zhì)型CuO@TiO2納米線膜

Au納米粒子修飾TiO2納米線

金納米線修飾的二氧化鈦納米柱陣列SERS基底材料

介孔TiO2/石墨烯修飾的TiO2納米線

石墨烯量子點(diǎn)/TiO2納米線復(fù)合材料

錫摻雜TiO2納米線陣列

Au,CdS納米粒子修飾TiO2納米線

CdS納米粒子修飾TiO2納米線

銀和石墨烯共修飾TiO2納米線

TiO2修飾Si/Fe2O3納米線陣列

硫化釩修飾二氧化鈦納米線陣列

FTO基底上TiO2納米線陣列

Al2O3修飾陣列TiO2納米線

二氧化鈦納米線修飾MXene的納米材料定制

氧化石墨烯納米片修飾TiO2納米線

納米顆粒修飾枝節(jié)狀二氧化鈦納米線

金納米線修飾的二氧化鈦納米柱陣列

CuO@TiO2納米線膜

氫鍵-TiO2納米管?MOF復(fù)合光催化劑

Bi2WO6?鎢酸鉍納米片

Bi2WO6二維超薄

g-C3N4/Bi2MoO6復(fù)合材料

鉬酸鉍

花瓣?duì)瞀?Bi2MoO6微米晶

花狀納米球光催化劑Bi2MoO6

鎢酸鉍(Bi2WO6)量子點(diǎn)/納米片修飾的石墨相氮化碳(g-C3N4)

Bi2WO6/g-C3N4復(fù)合材料

球形氧化亞銅Cu2O修飾Bi2WO6層狀微球

石墨烯量子點(diǎn)修飾鉬酸鉍納米片 Bi2WO6-GQDs

光響應(yīng)的聚吡咯/Bi2WO6復(fù)合材料

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