編輯-Z

10N65在TO-220F封裝里的柵極閾值電壓(VGS)為30V，是一款高速大電流MOS管。10N65的浪涌電流Ifsm為40A，零柵極電壓漏極電流(IDSS)為10uA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。10N65的功耗(PD)是65W，靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為0.8Ω。10N65的電性參數(shù)是：正向電流(Io)為10A，反向耐壓為650V，反向恢復(fù)時間(Trr)為320NS，其中有4條引線。

?

10N65參數(shù)描述

型號：10N65

封裝：TO-220F

特性：高速大電流MOS管

電性參數(shù)：10A 650V

柵極閾值電壓(VGS)：30V

正向電流(Io)：10A

功耗(PD)：65W

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))：0.8Ω

浪涌電流Ifsm：40A

零柵極電壓漏極電流(IDSS)：10uA

反向恢復(fù)時間(Trr)：320NS

工作溫度：-55~+150℃

引線數(shù)量：3

?

10N65場效應(yīng)管封裝系列。它的本體長度為15.87mm，加引腳長度為28.8mm，寬度為10.16mm，高度為4.7mm，腳間距為2.54mm。

?

以上就是關(guān)于10N65-ASEMI場效應(yīng)管10N65的詳細(xì)介紹。ASEMI產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：開關(guān)電源、LED照明、集成電路、移動通訊、計算機、工業(yè)自動化控制設(shè)備、汽車電子以及液晶電視、IoT、智能家居、醫(yī)療儀器、 電磁爐等大小家電。