其實這個是好久之前的會議了，可不知為什么居然沒有哪個網(wǎng)站做一個總結，本來以為sth或者anandtech會整一個的。
既然這樣，我自己做一個表格好了
淺色部分是本次會議發(fā)布的，深色的部分是上次會議所發(fā)布的，用于比較。

可以看到本次發(fā)布的nand中，只有三星是tlc，其他幾家都是qlc，因為去年發(fā)布的基本都是tlc。
因為都是單die 1Tb，4plane設計，因此可比性比較高。
鎧俠162層QLC，雖然層數(shù)較少，但密度倒是比美光和海力士的176層QLC更高，鎧俠表示它們使用了某項新技術，從而使存儲單元面積減小了10%，此外還應用了CuA，也就是將外圍電路置于存儲部分之下的技術。在BiCS5鎧俠還是傳統(tǒng)的CNA，也就是在同一平面上。

然后是美光和海力士，這兩個參數(shù)上基本一致，只能說挺巧的。

最后是三星，可以看到三星的單層密度比友商低一些，其實這一代進步已經(jīng)很大了，上一代176層和別人128層差不多，實在是有點古怪。
其實三星密度一直是比較低的，但是之前因為它不僅是CNA，還是單堆棧，也就是一次刻蝕出100層以上的nand，別的廠家都是兩次刻蝕，所以低一點也就罷了。但是176層的v6，CuA和雙堆棧都上了，密度還是提不上去，就有點奇怪了。三星的176層一直不上市，估計是密度太低，只是個半成品，回爐重造了。
不過三星比較特殊的一點，就是每一代die種類特別多，不像美光/Intel，每代就一兩種die，64層之后，一直到176層，都只有512gbTLC和1tbQLC兩種。三星的128層，光TLC就有256gb、512gb、1tb三種。

不過說到底，在論文里面的樣品，和最終產品很可能差別巨大，僅供參考。