書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：鋁的選擇性刻蝕

編號(hào)：JFKJ-21-346

作者：炬豐科技

? ? ? ? ?摘要

??在本研究中，使用氫氧化鉀?(KOH)?對(duì)?(100) 取向 p 型硅晶片的濃度、溫度和時(shí)間的不同實(shí)驗(yàn)蝕刻條件進(jìn)行了一系列硅晶片對(duì)比蝕刻實(shí)驗(yàn)。除了基本的蝕刻條件外，浸入晶片的位置對(duì)蝕刻過程也有不可預(yù)測(cè)的影響。這可能歸因于浸沒的晶片表面與攪拌蝕刻溶液的流動(dòng)模式之間的相對(duì)接觸位置。

??表面形貌分析表明，晶片的特定位置，相對(duì)于蝕刻劑的流動(dòng)，可以導(dǎo)致更高質(zhì)量的均勻粗糙（100）晶面。蝕刻樣品的最低反射率是通過使用反射率測(cè)量來確定的。研究表明，除了常規(guī)蝕刻條件外，容易被忽視的蝕刻位置也是對(duì)蝕刻結(jié)果有顯著影響的潛在條件；這可能成為 KOH 蝕刻硅的主要條件。

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目標(biāo)

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??為了制造高效率的晶體硅太陽能電池，應(yīng)盡量減少表面光反射，并形成均勻粗糙的硅表面，顯著降低表面反射。均勻粗糙的結(jié)構(gòu)包括隨機(jī)粗糙和倒粗糙的地形。與隨機(jī)粗糙相比，倒粗糙是一種更有效的單側(cè)光捕獲幾何結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗哂谐錾膬?nèi)部響應(yīng)以及路徑長度增強(qiáng)和減少的前表面反射率。這可以改善太陽能電池中的短路電流?。

背景資料

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??通過圖案化的Si 表面的各向異性蝕刻形成倒光滑圖案。堿金屬氫氧化物（例如 KOH 或 NaOH）是用于 Si 各向異性蝕刻的最常見蝕刻劑。然而，由于堿性溶液會(huì)導(dǎo)致金屬離子污染，在后續(xù)清洗中很難去除，因此有必要研究不引入金屬離子的有機(jī)堿性蝕刻劑，以便它們能夠用于 IC 制造兼容。

硅基板的濕法各向異性蝕刻通常用于微機(jī)械制造不同的?MEMS 結(jié)構(gòu)，包括膜、“凸臺(tái)型”特征、懸梁、地震質(zhì)量等