書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：晶體硅刻蝕技術(shù)

編號(hào)：JFKJ-21-297

作者：炬豐科技

摘要

? 薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。用濕蝕刻法變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械背磨削相比，背面加工的應(yīng)力更小。硅的各向同性濕法蝕刻是典型的，用硝酸和氫氟酸的混合物做的。當(dāng)硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時(shí)，蝕刻速率將隨時(shí)間減少。這種變化已經(jīng)建模。本文的重點(diǎn)是對(duì)維修過(guò)程控制技術(shù)進(jìn)行比較，蝕刻速率與時(shí)間和所加工晶圓的函數(shù)一致。

關(guān)鍵詞:各向同性和各向異性刻蝕，MEMS, SOI, LPCVD

介紹

? 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是一個(gè)集成系統(tǒng)由機(jī)械元件和電子電路共同組成襯底通過(guò)采用微細(xì)加工技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能設(shè)備，尺寸范圍從更小而不是一微米到幾微米。大多數(shù)MEMS設(shè)備目前是基于硅的，因?yàn)楸砻婵捎眉庸ぜ夹g(shù)。硅是一種MEMS材料選作蝕刻研究的重點(diǎn)。蝕刻技術(shù)在薄膜工藝中起著重要的作用在半導(dǎo)體行業(yè)。同位素/各向異性蝕刻的硅被用來(lái)獲得不同的微結(jié)構(gòu)。各向異性硅的蝕刻廣泛采用KOH溶液腐蝕劑。

實(shí)驗(yàn)的程序

? 小型化生產(chǎn)方法的發(fā)展機(jī)械元件和器件與硅是自然的產(chǎn)物硅的表面加工方法已發(fā)展為微電路生產(chǎn)。朝這個(gè)方向走，我們將1份KOH顆粒稱入a中，制備新鮮KOH溶液然后加入2份去離子水。例如，使用100g KOH和200ml水。在溫暖的表面上混合直到KOH溶解。向溶液中加入40毫升異丙醇。

結(jié)果與討論???略

硅各向異性腐蝕

結(jié)論??略