2023年第一季各個(gè)制程節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電5nm制程占總營收31%，7nm占20%?？傮w而言，

先進(jìn)制程(包含?7nm和更先進(jìn)制程)營收在第一季達(dá)到51%比重。

N3（3nmm制程）技術(shù)上，2023年量產(chǎn)且達(dá)到全面利用(fully utilized)，第三季開始大幅貢獻(xiàn)營收，預(yù)計(jì)N3制程將占臺(tái)積電營收5%左右。

N3E（第二版3nm制程）是臺(tái)積電3nm制程家族的延伸，具有更好的性能、功耗和良率，為高性能運(yùn)算HPC和智能手機(jī)等相關(guān)應(yīng)用提供完整的支持平臺(tái)。目前?N3E已通過驗(yàn)證并達(dá)成性能與良率目標(biāo)，預(yù)計(jì)在2023年下半年量產(chǎn)。

在客戶方面，臺(tái)積電指出，盡管整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈仍持續(xù)庫存調(diào)整，N3和N3E皆有許多客戶參與，量產(chǎn)第一年和第二年的產(chǎn)品流片數(shù)量將是N5（5nm制程）兩倍以上。整體來看，3nm在PPA（性能、功耗及面積）及晶體管技術(shù)上，都是業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)，接下來幾年臺(tái)積電有信心3nm制程成為另一個(gè)大規(guī)模且有長期需求的制程技術(shù)。

N2（2nm制程）方面，目前技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，將如期在2025年進(jìn)入量產(chǎn)，奈米片(Nanosheet)晶體管架構(gòu)將展現(xiàn)最佳的能源效率，N2無論在性能或是功耗效率都會(huì)提升一個(gè)世代，以滿足日益增加的節(jié)能運(yùn)算需求。目前很多HPC和智能手機(jī)相關(guān)客戶對(duì)N2制程感興趣并參與。