書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：化學(xué)機械拋光技術(shù)工藝

編號：JFKJ-21-050

作者：炬豐科技

歷史

? IBM 在 80 年代后期發(fā)明了 CMP，以允許在他們生產(chǎn)的集成電路中使用更多金屬層。最初它被稱為化學(xué)機械平面化 (CMP)，因為這是創(chuàng)建它的目的。顯示了當(dāng)時典型的晶體管布線工藝流程。

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? 在硅中創(chuàng)建晶體管后，沉積電介質(zhì)（通常是氧化硅）。沉積的材料復(fù)制了底層表面的臺階高度，在某些情況下實際上可以增加拓?fù)?。?dāng)金屬被沉積以形成第一布線層時，金屬厚度在特征的邊緣上會顯著變薄。這會導(dǎo)致導(dǎo)線橫截面的減小以及隨后導(dǎo)線電阻率的增加。

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? 此外，當(dāng)嘗試進行高分辨率光刻時，臺階高度會引起問題。推動光學(xué)光刻工具打印越來越小的特征需要轉(zhuǎn)向高數(shù)值孔徑 工具。這些工具可以以較小窗口為代價打印較小的特征。這要求他們正在圖案化的薄膜的表面高度在一個狹窄的范圍內(nèi)，以便準(zhǔn)確打印圖像。表面中的任何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都很難將圖像聚焦在高區(qū)和低區(qū)。

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其他平面化技術(shù)

? 為了去除電介質(zhì)中的臺階高度，IC 公司在 CMP 之前使用了多種技術(shù)。一種技術(shù)是沉積重?fù)诫s硼和磷的氧化硅層（硼摻雜磷硅酸鹽玻璃-BPSG）。這種材料的熔點低于未摻雜的氧化硅。執(zhí)行高溫退火，材料會輕微回流并平滑臺階高度。???略

?CMP平面化????略

?鑲嵌CMP??????略

雙鑲嵌 CMP????略

?CMP 圖案密度問題????略

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