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單晶XRD培養(yǎng)技術(shù)(二)

2022-06-28 14:03 作者:bili_74204057874  | 我要投稿

在做單晶X射線衍射(單晶XRD)測試時(shí),科學(xué)指南針檢測平臺工作人員在與很多同學(xué)溝通中了解到,好多同學(xué)對單晶XRD測試不太了解,針對此,科學(xué)指南針檢測平臺團(tuán)隊(duì)組織相關(guān)同事對網(wǎng)上海量知識進(jìn)行整理,希望可以幫助到科研圈的伙伴們;

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常見的單晶生長方法

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1.溶劑緩慢揮發(fā)法

揮發(fā)化合物的近飽和溶液

干凈光滑的器皿,但是全新的玻璃儀器效果往往也不好

合適的溶劑:沸點(diǎn)適中,不能太高或太低,60 ~ 90 度較合適??梢杂貌涣既軇┖土既軇┑幕旌先軇┤芙饣衔?(不良與良溶劑必須互溶,且沸點(diǎn)要高于良溶劑。如,甲醇里可加適量水),以避免在溶劑體積特別小時(shí)才析出晶體。

過濾:注意避免將濾紙上的纖維帶入濾液。

封口、揮發(fā):可用保鮮膜封好口,用很細(xì)的針戳孔,通過孔的數(shù)量來控制揮發(fā)速度。

清潔穩(wěn)定的環(huán)境

注意:緩慢揮發(fā),不能讓溶劑完全揮發(fā)。

常用溶劑:甲醇、乙醇、氯仿、甲醇-水及 CH2Cl2-正己烷等。

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2.液相擴(kuò)散法

向良溶劑的溶液中擴(kuò)散不良溶劑:適用于兩種溶劑中溶解度差別很大的化合物。

層鋪法:

上層:不良溶劑

中間:混和溶劑緩沖層

下層:良溶劑的溶液

(下層溶劑比重應(yīng)比上層大,且兩種溶劑必須互溶。)

下層:CH2Cl2 (CHCl3) ? 上層:己烷 (庚烷、辛烷等)

下層: CH2Cl2 (CHCl3) ?上層:甲醇 (乙醇等)

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3.氣相擴(kuò)散法

A:良溶劑溶液,沸點(diǎn)較高

B:不良溶劑,沸點(diǎn)較低

常用溶劑體系:

適用于極性較大化合物:DMF/乙醚;MF/己烷

適用于極性較小化合物:DMF/水;DMSO/水

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4.水熱法或溶劑熱法??

適用于特別難溶的化合物 (如二維或三維配位網(wǎng)絡(luò)),經(jīng)常在反應(yīng)生成某種化合物的同時(shí),生長其晶體。該方法有時(shí)可以得到其他方法無法得到的奇特結(jié)構(gòu);

?需控制好溶劑和溫度,高溫條件下溶劑蒸汽自動(dòng)產(chǎn)生一定壓力,反應(yīng)一段時(shí)間后,控制降溫,冷卻到室溫之后,收集晶體。

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以上僅為科學(xué)指南針檢測平臺對網(wǎng)上資料的收集整合,故此分享給大家,希望可以幫助大家對測試更了解,如有測試需求,可以和科學(xué)指南針聯(lián)系,我們會(huì)給與您最準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)和最好的服務(wù)體驗(yàn),惟??蒲泄ぷ髡呖梢愿p松的工作。

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最后,祝大家科研順利!如果你想和更多科研工作者學(xué)習(xí)探討,可以掃碼關(guān)注下哦~


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