書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：晶圓減薄工藝及其關鍵性

編號：JFKJ-21-279

作者：炬豐科技

摘要 ?

? 晶圓薄化是實現(xiàn)集成電路小型化的主要工藝步驟，硅片背面磨至70微米的厚度被認為是非常關鍵的，因為它很脆弱。本文將討論關鍵設備檢查項目的定義和設置險。?所涉及的設備是內(nèi)聯(lián)晶圓背面研磨和晶圓安裝。本研究采用定性方法，通過應用過程映射來識別關鍵字過程步驟。?結(jié)果表明，建立了關鍵設備子流程 步驟如研磨，分層和膠帶。

介紹 ?

? 電子封裝的發(fā)展同時也預測了對更薄架構(gòu)的需求集成電路封裝內(nèi)部如較薄的基材，模蓋，膠粘劑粘合介紹了線厚和模具厚度。 ?

問題解決

? 為了實現(xiàn)晶圓或硅片的細化，需要使用超精密研磨機[1]進行?，F(xiàn)在，有幾個問題和要求在擴散過程中遇到開發(fā)到制造階段。

精算估值

材料晶圓減薄將集中在200毫米晶圓尺寸使用超細背部研磨機。設備將有一個完整的晶圓回磨，工藝:粗、精、CMP;?和連接到一個完整的晶圓貼片過程。

設備