書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：磷化銦在光電器件中的應用

編號：JFKJ-21-105

作者：炬豐科技

摘要：

磷化納米晶半導體因其直接帶隙大和基本物理特性而成為重要的無機材料之一。?它們的物理性質(zhì)在高速數(shù)字文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁電路、微波和光電子器件等方面具有廣泛的應用前景。?與II-VI和I-VII半導體相比，IIIA磷化物具有高度的共價鍵、較少的離子特性和較大的激子直徑。?本文綜述了氣相法和液相法合成III-V磷化銦納米線的研究進展。?本文還報道了核殼結(jié)構(gòu)的形成及其利用高能帶隙半導體量子點的敏化。?在本綜述的后面部分，重點介紹了聚合物雜化材料在光電二極管中的應用。

1介紹

2.磷化銦納米線的合成???略

3.磷化銦納米線的應用???略

4.結(jié)論????略

在本文中，我們介紹了InP NWs的各種合成路線。以及磷化銦納米線的合成和應用