編輯-Z

整流二極管DGL50-2B的作用具有明顯的單向導電性。DGL50-2B是由半導體硅材料制成。DGL50-2B的作用可有效實現高擊穿電壓、低反向漏電流和優(yōu)良的高溫性能。DGL50-2B整流二極管的作用是利用PN結的單向導電性，將交流電轉變?yōu)槊}動直流電。DGL50-2B的電流比較大，大多采用面接觸材料封裝。那么DGL50-2B的主要特性有哪些呢？

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DGL50-2B參數描述

型號：DGL50-2B

封裝：DGL-2

特性：大功率整流二極管

電性參數：50A2000V

芯片材質：GPP硅芯片

正向電流(Io)：50A

芯片個數：4

正向電壓(VF)：2V

浪涌電流Ifsm：450A

漏電流(Ir)：5mA

工作溫度：-40~+150℃

引線數量：2

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1、DGL50-2B的正向性

整流二極管DGL50-2B最突出的作用是它的正向性。DGL50-2B外加正向電壓時，正向特性初期的正向電壓很小，不能有效克服PN結電場的阻斷作用。正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)，不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當DGL50-2B的正向電壓大于死區(qū)電壓時，PN結中的電場被有效克服，DGL50-2B正向導通，電流隨著電壓的升高而迅速上升。在正常電流范圍內，整流二極管導通時的端電壓幾乎保持不變。

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2、DGL50-2B的反向性

整流二極管DGL50-2B的反向性是在整流二極管施加的反向電壓不超過一定范圍時，流過DGL50-2B的電流的少數載流子漂移形成的反向電流。由于DGL50-2B的反向電流很小，整流二極管處于截止狀態(tài)。DGL50-2B的反向飽和電流受溫度影響，當DGL50-2B的溫度升高時，半導體被熱激發(fā)，少數載流子的數量也隨之增加。

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3、DGL50-2B的反向擊穿

整流二極管DGL50-2B作用中的反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，DGL50-2B由于勢壘區(qū)寬度小，反向電壓大，會破壞勢壘區(qū)的共價鍵結構，使電子脫離共價鍵，會產生電子空穴。DGL50-2B作用中的另一種擊穿類型是雪崩擊穿。當DGL50-2B的反向電壓增加到較大值時，外電場會加速電子漂移速度，使DGL50-2B共價鍵中的價電子發(fā)生碰撞，將價電子撞出共價鍵，并產生新的電子空隙。