考研真題是備考的關(guān)鍵，也是價(jià)值不可比擬的備考資料，獲得了考研真題就掌握了高分秘籍，在日趨激烈的考研競(jìng)爭(zhēng)中，考研真題不可或缺。盛世清北十年來(lái)專注清北碩博輔導(dǎo)，為幫助考生少走彎路，整理如下北大匯豐微電子學(xué)與固體電子學(xué)考研相關(guān)資料，以供參考。

真題試題

2018北大半導(dǎo)體物理考題回憶

一、名詞解釋

受主、雪崩擊穿、異質(zhì)結(jié)、費(fèi)米釘扎(還有兩個(gè)記不清了，歷年真題中可以找到)

二、半導(dǎo)體A、B的電導(dǎo)率-溫度曲線如下

1.說(shuō)明A、B半導(dǎo)體的類型，并說(shuō)明原因

2.A、B分別產(chǎn)生如下曲線的機(jī)制是什么

三、題干給出了兩種材料(n型Eg較窄，p型Eg較寬)的能帶圖，畫(huà)出這兩種材料形成異質(zhì)結(jié)后在如下情形的能帶圖

1.無(wú)外加偏壓

2.施加反向偏壓Va

四、p-mos管(n型襯底)中，Wm<WS，SIO2層厚度及介電常數(shù)已知，< p>

SiO2層中存在以密度為常數(shù)ρ的電荷分布

1.寫(xiě)出平帶電壓表達(dá)式

2.畫(huà)出平帶時(shí)的能帶圖

五、PN結(jié)P型區(qū)及N型區(qū)均均勻摻雜，濃度為Na，Nd

1.算出施加正向偏壓Va時(shí)p區(qū)邊界少子濃度

2.畫(huà)出正偏時(shí)I-V曲線

3. Na，Nd很小時(shí)，I-V曲線與理想曲線有什么區(qū)別

六、同時(shí)在Si中摻入Na，Nd，Na>Nd

1.寫(xiě)出電荷守恒表達(dá)式

2.寫(xiě)出低溫區(qū)Ef與T的關(guān)系

3.示意在能帶圖中畫(huà)出Ef隨T的變化曲線

在這最后的一段時(shí)間里，放平心態(tài)，把自己的學(xué)習(xí)日程安排好，天道酬勤，不要放棄努力，全力以赴終會(huì)上岸，上岸后你會(huì)感謝現(xiàn)在努力的自己。加油，考研人！

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