鎵金屬在民用與軍用高端半導(dǎo)體上基本是通用的，但是由于民用先進(jìn)半導(dǎo)體仍然以硅基為主，經(jīng)常說的7納米與5到3納米的制程，基本都是在純硅基晶圓上實(shí)現(xiàn)，追求功耗低，性能強(qiáng)，賣相好的諸多優(yōu)點(diǎn)，比如高端手機(jī)與個(gè)人平板電腦等；而軍用高端芯片追求的是更強(qiáng)的帶寬與更大的功率變化范圍、耐電磁對(duì)抗的能力；在以上性能都表現(xiàn)優(yōu)異的基礎(chǔ)上才追求低功耗與外觀的輕型化。因此軍用芯片幾乎很少有低于28納米制程的，甚至96納米的占據(jù)絕大多數(shù)。而28納米及以上就算是非常成熟的制程，至于96納米則早早的實(shí)現(xiàn)了純自產(chǎn)化，即使沒有光刻機(jī)還有世界領(lǐng)先的蝕刻機(jī)可以生產(chǎn)。因此國(guó)外禁用先進(jìn)制程的光刻機(jī)，從來沒有影響到軍用芯片的完全自給自足。當(dāng)然既然西方體系一意孤行，

那也不能由著他折騰！對(duì)鎵與鍺的的管制雖然不能看做是對(duì)限制光刻機(jī)的直接對(duì)應(yīng)手段，但是對(duì)延緩戰(zhàn)略對(duì)手的技術(shù)進(jìn)步速度，為自家在關(guān)鍵微電子科技上的突破爭(zhēng)取更多的戰(zhàn)略窗口期，其作用卻是可以立竿見影。全球去年一共消耗了430噸鎵，其中超級(jí)大國(guó)本身就消耗了80噸左右。其中有至少50噸是直接消耗在了軍用高端半導(dǎo)體上，說白了就是F35的相控陣?yán)走_(dá)，還有最新批次的伯克2A與伯克3上，以及其他包括福特級(jí)在內(nèi)的，凡是具備最先進(jìn)的氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)的系統(tǒng)，都離不開鎵金屬的大量消耗。但是超級(jí)大國(guó)一向是一噸鎵不生產(chǎn)，只能完全外購(gòu)。兩個(gè)處于戰(zhàn)爭(zhēng)中的國(guó)家，如果全力生產(chǎn)，那么每年最多也只能提供15到20噸的鎵。這點(diǎn)產(chǎn)量，連超級(jí)大國(guó)，純軍用的50噸的缺口；

都補(bǔ)不上。還有東亞的2個(gè)所謂的盟友，合起來可以年產(chǎn)5噸的鎵；但是僅僅其自身的民用都不夠。如果發(fā)揚(yáng)風(fēng)格或者在超級(jí)大國(guó)的嚴(yán)令下都“上繳”，仍然是杯水車薪。至于超級(jí)大國(guó)自己重新提煉鋁土礦，那么正常產(chǎn)出起碼要到8到10年之后了；而且到時(shí)產(chǎn)品能否堪用也是一個(gè)大問題。還有一個(gè)辦法，就是所謂的東亞某盟友，具備回收鎵的技術(shù)。據(jù)說如果拼命回收，那么甚至可以年產(chǎn)100噸！不過這里面有一個(gè)繞不開的物理化學(xué)定律，那就是所有的回收鎵，純度都有問題。因?yàn)榧兌炔粔?，就不能生產(chǎn)氮化鎵，更不用說純度要求更高的氧化鎵。只能返回到屬于二代標(biāo)準(zhǔn)的砷化鎵。而且回收過程污染極大。但是沒有辦法之下。這也是超級(jí)大國(guó)與整個(gè)西方可以10年內(nèi)暫時(shí)性找米下鍋的唯一途徑。

至于還有個(gè)別發(fā)展中國(guó)家聲稱的所謂立即替代供應(yīng)，除了口頭討好西方之外，沒有任何實(shí)際意義。因?yàn)樗麄儸F(xiàn)在連一克鎵都不生產(chǎn)，拿頭去補(bǔ)充？總而言之，當(dāng)自家的相控陣都是第4代氧化鎵，而西方全部倒退回第二代的砷化鎵。這一招絕對(duì)是穩(wěn)準(zhǔn)狠！