我剛剛查了一下，看起來復(fù)旦是研究出了能繞過第二代EUV的并且能實(shí)現(xiàn)CFET的技術(shù)。CFET確實(shí)就像搭積木一樣大幅提高晶體管密度，但是至于如此高密度晶體管堆疊所帶來的積熱以及可能帶來的漏電率的問題還要再看看，目前也是實(shí)驗(yàn)室狀態(tài)，量產(chǎn)還是很難。CFET這個(gè)技術(shù)在IEDM上也透露了，至少2030年以后也不一定能量產(chǎn)，所以這個(gè)技術(shù)很超前，也很難。