書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：超薄硅片刻蝕技術(shù)

編號：JFKJ-21-138

作者：炬豐科技

摘要

? ?高效指間背接觸太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費(fèi)。?我們認(rèn)為適當(dāng)?shù)拟g化技術(shù)的IBC電池即使在厚度不足的情況下也能保持20%的效率20μm。?本工作采用光刻和刻蝕技術(shù)對晶圓文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁進(jìn)行深度刻蝕，使晶圓厚度小于20 μm。?四甲基銨各向異性腐蝕等離子體反應(yīng)離子蝕刻與SPR 和SU-8光刻膠一起使用。?二氧化硅用作制作TMAH蝕刻層。?4英寸C - si晶圓的TMAH蝕刻是在80°C的溫度下完成的個小時。?四分之一的4英寸c-Si晶圓的RIE用SF6作為反應(yīng)氣體進(jìn)行3小時。?TMAH的腐蝕速率反應(yīng)性離子蝕刻的蝕刻速率在此范圍內(nèi)在1.2 - 1.8 μm/min之間。?反應(yīng)性離子蝕刻顯示出以更大的尺寸實(shí)現(xiàn)更小的厚度的能力與TMAH蝕刻技術(shù)相比，具有更大的優(yōu)點(diǎn)。

?介紹 ?

? 能源被認(rèn)為是未來50年人類面臨的頭號問題。?通過估計(jì)，太陽能顯示出供應(yīng)潛力，在一個小時內(nèi)，能滿足的能量量世界一年的能源總需求。?這是光伏產(chǎn)業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)以與化石燃料競爭的成本生產(chǎn)足夠數(shù)量的能源。?這個因素取決于對高效率光伏器件和降低制造成本的需求。?更高的據(jù)報(bào)道，太陽能電池的效率在規(guī)模上高于20%商用太陽能電池使用晶體硅材料。?這種類型的PV電池是指間背接觸太陽能電池。 ?

? ?觸點(diǎn)是用激光制造的最后進(jìn)行鋁金屬化處理，完成加工工藝?的這種電池的優(yōu)點(diǎn)是:(a)在正面沒有金屬陰影損失(b)電阻手指和母線造成的損失可以非常低，而且(c)有更容易的單元互連。 ?

? IBCs的引入是為了提高晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率20%。?有了這種高效率，面板的尺寸為6.5平方米傳統(tǒng)電池可減少至4.8平方米或較少滿足家庭全年平均能源需求。?主要目標(biāo)是開發(fā)程序這有利于大規(guī)模生產(chǎn)。?????略

本文講述了實(shí)驗(yàn)方法，SPR光刻膠和TMAH蝕刻，SU-8光刻膠與反應(yīng)性離子蝕刻等問題。