編輯-Z

ASEMI高壓MOS管10N65參數(shù)：

型號：10N65

漏極-源極電壓（VDS）：650V

柵源電壓（VGS）：30V

漏極電流（ID）：10A

功耗（PD）：65W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：0.9Ω

二極管正向電壓（VSD）：1.4V

輸入電容（Ciss）：1500pF

二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：320nS

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10N65封裝規(guī)格：

封裝：TO-220

總長度：28.57mm

本體長度：15.87mm

寬度：10.66mm

高度：5.0mm

腳間距：2.54mm

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10N65特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無與倫比的門電荷：Qg=35nC（典型值）。

BVDSS=650伏，ID=10A

R DS（ON）:0.9?（最大值）@V G=10V

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