安世半導(dǎo)體近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 溝道小信號(hào) Trench MOSFET。

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 溝道小信號(hào) Trench?MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí) DSN1006 封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的 RDS（on） 特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。

新型 MOSFET 非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

RDS（on） 與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了 25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強(qiáng)可穿戴設(shè)備的用戶舒適度。?

具體而言，在 VGS = 4.5V 時(shí)，PMCB60XN 和 PMCB60XNE的最大 RDS（on） 分別為 50mΩ 和 55mΩ。超10萬(wàn)種現(xiàn)貨元器件，一件也發(fā)貨，來(lái)唯樣商城購(gòu)正品~因此，在市場(chǎng)上類似的 30V MOSFET 中， PMCB60XN 和 PMCB60XNE 單個(gè)芯片面積導(dǎo)通電阻最低。此外，PMCB60XNE 在集成于 1.0mm ×0.6mm×0.2mm 的 DSN1006 小型外形中，還可提供額定 2kV ESD 保護(hù)（人體模型 –?HBM）。這兩款 MOSFET 的額定漏極電流最高均可達(dá) 4A。

除了采用 DSN1006 封裝的這兩款 MOSFET 外，Nexperia（安世半導(dǎo)體）還推出了一款采用 DSN1010 封裝的 12V N 溝道 Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在 VGS = 4.5 V 時(shí)的最大 RDS（on）為16mΩ，在 0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007） 尺寸下可具備市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。?

30V PMCB60XN 和 PMCB60XNE 以及 12V PMCA14UN 現(xiàn)已供貨，可從 Nexperia（安世半導(dǎo)體）獲得。

?Nexperia （安世半導(dǎo)體）?

Nexperia（安世半導(dǎo)體），作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET 器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （GaN FET） 以及模擬 IC 和邏輯 IC。Nexperia 總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付 1000 多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來(lái)的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，Nexperia 持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國(guó)擁有超過(guò) 12,000 名員工。Nexperia 是聞泰科技股份有限公司 （600745.SS） 的子公司，擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 ISO 45001認(rèn)證。