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ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾賽斯IGBT二極管

型號(hào)：IXYB82N120C3H1

品牌：IXYS/艾賽斯

封裝：TO-264

最大漏源電流：82A

漏源擊穿電壓：1200V

RDS（ON）Max：mΩ

引腳數(shù)量：3

特性：IGBT二極管

芯片個(gè)數(shù)：

溝道類(lèi)型：

漏電流：ua

特性：IGBT、二極管

工作溫度：-55℃~150℃

備受歡迎的IXYB82N120C3H1二極管

??艾賽斯品牌IXYB82N120C3H1是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了IXYB82N120C3H1的最大漏源電流82A，漏源擊穿電壓1200V.

?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距

IXYB82N120C3H1,艾賽斯品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強(qiáng)。

IXYB82N120C3H1具體參數(shù)為：最大漏源電流：82A，漏源擊穿電壓：1200V，反向恢復(fù)時(shí)間： ns，封裝：TO-264

強(qiáng)元芯電子原廠渠道代理各種車(chē)規(guī)級(jí)MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。

ASEMI半導(dǎo)體廠家-強(qiáng)元芯電子專業(yè)經(jīng)營(yíng)分離式元器件，主要生產(chǎn)銷(xiāo)售整流橋系列封裝（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模塊（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽車(chē)整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二極管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二極管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、開(kāi)關(guān)管、穩(wěn)壓管)；玻璃鈍化（GPP）六英寸晶圓等，各種封裝參數(shù)在ASEMI官網(wǎng)都有詳細(xì)介紹。