熔沸點：原子晶體（金剛石，SiO2,SiO,AIN……）>離子晶體(有金屬元素)>分子晶體(無金屬元素)。

密堆積：

六方最密堆積：配位數(shù)12,空間利用率74%

面心立方最密堆積：配位數(shù)12，空間利用率74%

體心立方密堆積：配位數(shù)8

密堆積層間兩類空隙：四面體空隙，八面體空隙

(了解)

(了解原子化焓概念即可。ⅱ：有金屬過渡到非金屬；原子化焓也是這個順序變化。特例，了解即可)

NaCl型:面心立方。離子個數(shù)Cl?4,Na?4。配位數(shù)6。

CsCl型:簡單立方。離子個數(shù)，陰陽離子各1個。配位數(shù)8。

ZnS型:面心立方。離子個數(shù)各4個。配位數(shù)4。