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ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET

2022-11-17 17:42 作者:強強的芯  | 我要投稿

編輯-Z

力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080參數(shù):

型號:LSIC1MO120E0080

漏極-源極電壓(VDS):1200V

連續(xù)漏電流(ID):25A

功耗(PD):214W

工作結(jié)溫度(TJ):-55 to +175℃

零柵極電壓漏極電流(IDSS):1uA

漏極源導(dǎo)通電阻RDS(ON):80mΩ

柵極閾值電壓VGS(TH):2.8V

輸入電容(CISS):1700pF

二極管正向電壓(VSD):3.6V

反向恢復(fù)時間(trr):21ns

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LSIC1MO120E0080封裝尺寸:

封裝:TO-247

總長度:22.03mm

本體長度:21.46mm

引腳長度:20.57mm

寬度:16.25mm

高度:5.3mm

腳間距:5.44mm

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LSIC1MO120E0080特征:

針對高頻、高效應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化

極低的柵極電荷和輸出電容

用于高頻開關(guān)的低柵極電阻

所有溫度下的常閉操作

超低導(dǎo)通電阻

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LSIC1MO120E0080應(yīng)用

高頻應(yīng)用

太陽能逆變器

開關(guān)模式電源

UPS

電機驅(qū)動

高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

電池充電器

感應(yīng)加熱




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