編輯-Z

封裝和參數(shù)是工程師在選型整流橋時(shí)的兩大重要依據(jù)，下面我們就把比較常見的ASEMI整流橋MB10F、MB6S、ABS10參數(shù)做個(gè)對(duì)比，方便大家選型。

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整流橋MB10F參數(shù)：

型號(hào)：MB10F

封裝：MBF-4

最大重復(fù)峰值反向電壓（VRRM）：1000V

最大平均正向整流輸出電流（IF）：1.0A

峰值正向浪涌電流（IFSM）：35A

每個(gè)元件的典型熱阻（ReJA）：85℃/W

工作結(jié)和儲(chǔ)存溫度范圍（TJ, TSTG）：-55 to +150℃

最大瞬時(shí)正向壓降（VF）：1V

最大直流反向電流（IR）：5uA

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整流橋MB6S參數(shù)：

型號(hào)：MB6S

封裝：MBS-4

最大重復(fù)峰值反向電壓（VRRM）：600V

最大平均正向整流輸出電流（IF）：1.0A

峰值正向浪涌電流（IFSM）：30A

每個(gè)元件的典型熱阻（ReJA）：110℃/W

工作結(jié)和儲(chǔ)存溫度范圍（TJ, TSTG）：-55 to +150℃

最大瞬時(shí)正向壓降（VF）：1.1V

最大直流反向電流（IR）：10uA

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整流橋ABS10參數(shù)：

型號(hào)：ABS10

封裝：ABS-4

最大重復(fù)峰值反向電壓（VRRM）：1000V

最大平均正向整流輸出電流（IF）：1.0A

峰值正向浪涌電流（IFSM）：30A

每個(gè)元件的典型熱阻（ReJA）：62.5℃/W

工作結(jié)和儲(chǔ)存溫度范圍（TJ, TSTG）：-55 to +150℃

最大瞬時(shí)正向壓降（VF）：1.05V

最大直流反向電流（IR）：10uA

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從整流橋MB10F、MB6S、ABS10參數(shù)對(duì)比中可以看出，它們的封裝都是貼片形式的，看起來差不多，但是尺寸大小會(huì)有點(diǎn)區(qū)別。額定正向電流都是1安培，反向耐壓MB10F和ABS10都是一千伏，MB6S的稍微低一點(diǎn)，壓降也是差不多的，總體來說這三個(gè)型號(hào)非常接近。