書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：氮化鎵特性及應(yīng)用簡介

編號：JFKJ-21-021

作者：炬豐科技

1.1歷史 ?背景

幾十年來，氮化鎵 (GaN) 和其他相關(guān)材料（例如三元 AlGaN 和 InGaN 以及四元 InAlGaN）已被用于光電元件。此外，這些氮化物中的一些最近也成為下一代電力電子器件的有前途的半導(dǎo)體。事實(shí)上，在電力電子中引入基于氮化鎵的材料可以提高設(shè)備的效率并降低電力消耗。因此，與其他化合物半導(dǎo)體相比，未來幾年的整體氮化物器件市場預(yù)測要光明得多。

為了 由于這些原因，現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中預(yù)期的革命通常被半開玩笑地視為“GaN 化”。

本書概述了用于電力電子和光電器件的主要氮化物半導(dǎo)體技術(shù)：晶體管、二極管、發(fā)光二極管 (LED)、激光二極管 (LD) 等。通向這些器件的道路很長，而且沒有很容易，因?yàn)榈锖茈y生長和加工。本章介紹了 GaN 及相關(guān)材料的特性和應(yīng)用。

氮化鎵的歷史可以追溯到 1930 年代初，從那時(shí)起，它以許多重要的里程碑為特征，從而創(chuàng)造了電子和光電器件的關(guān)鍵技術(shù)。氮化物研究的重要?dú)v史步驟總結(jié)如下：

??1932 年：第一個(gè)多晶 GaN 材料是通過流動(dòng)的氨氣合成的

經(jīng)檢驗(yàn)，證明其在氫氣氣氛中高達(dá) 800 C 的穩(wěn)定性。

??1938 年：在 GaN 粉末上研究了 GaN 的晶體結(jié)構(gòu) [2]......

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1.1?氮化物的基本性質(zhì)

氮化物半導(dǎo)體（GaN、AlGaN、InAlN、InGaN、InAlGaN、AlN 等）具有許多特性，這使得它們對于許多光電和微電子應(yīng)用非常有用......所有這些方面都將在以下各節(jié)以及本書的其他章節(jié)中進(jìn)行更詳細(xì)的討論。

1.2..1微觀結(jié)構(gòu)及相關(guān)問題

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1.2.2光學(xué)特性

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1.2.3電氣特性

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1.2.4AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子

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1.3?GaN基材料的應(yīng)用

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1.3.1?光電器件

1.3.2功率和高頻電子設(shè)備

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1.4總結(jié)

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